2015年6月23日，应数字制造装备与技术国家重点实验室陈蓉教授邀请，美国阿拉巴马大学教授Qing Peng来我院作了题为“Sequential Infiltration Synthesis (SIS) and its Application in Nanotechnology”的学术报告。
报告中，Peng教授介绍了自己在北卡罗莱纳州立大学、Argonne国家实验室以及杜克大学的相关研究，并结合最近研究进展，详细讲解了基于原子层沉积选择改性有机高分子基底的研究 （Sequential Infiltration Synthesis），以沉积氧化铝和工业芯片刻蚀的研究。通过三甲基铝和水在PS-PMMA block copolymer基底上进行扩散，再利用原子层沉积方法进行氧化铝薄膜沉积。利用光刻蚀和掩膜版进行芯片制造。该技术获得了Lam research等一些列国际知名半导体供应商的关注与兴趣。该技术的进一步延伸，也可以获得大尺寸的光电倍增器等一系列应用。会后，他与在场师生就相关问题进行了深入讨论。
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