5月21日上午，应智能制造装备与技术全国重点实验室刘世元教授邀请，美国肯尼索州立大学冯哲川教授来访我院，并为我院师生带来了一场精彩的学术报告。报告由刘世元教授主持。
报告主要讲述了冯教授团队对于第四代半导体如氮化铝(础濒狈)和氧化镓(骋补翱)的跨学科研究，运用高分辨齿射线衍射、椭圆偏振光谱等先进技术，深入剖析其结构、光学和表面特性，及其独特的物理现象，激发了师生的创新思维，开阔了学术氛围和研究思路。这些研究不仅为高温、高功率光电器件设计提供了重要参考，更展现了半导体材料领域的无限可能。
报告结束后，在座师生针对报告中的相关研究内容与冯教授展开了详细的交流与讨论。未来刘世元教授团队将与冯教授保持联系及合作，共同推动半导体材料领域的创新与发展。
冯哲川教授从事于化合物和宽能隙半导体研究40多年。2013年荣膺SPIE (国际光学与光子工程学会) Fellow(会士)至今。曾受邀担任华中科技大学、南开大学、四川大学、南京工业大学、华南师范大学、天津师范大学的访问客座教授。
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