| 中文名称： | 第二代原子层沉积系统 |
英文名称： | The Second Generation of Atomic Layer Deposition |
仪器编号： | |
仪器型号： | RH-200 |
生产厂家： | 自搭 |
放置位置： | 柔性电子制造实验室 |
功能介绍
原子层沉积设备利用两种/多种不同前驱体交替通入至腔体内部并依次反应，在给定基底上沉积原子层级别薄膜。设备包含RV12真空泵, YDS-10液氮容器，ALD阀门，前驱体钢瓶，气动角阀，气体质量流量计以及管路及加工腔体。
&苍产蝉辫;技术特点：
1.沉积非均匀性 非均匀性<±1%。
2.最大φ4英寸基板，可容纳多片其他规格样品同时沉积。
3.最大可容纳四种前驱体源同时工作。
4.生长模式 连续和停留沉积模式任意选择。
5.控制系统 PLC+显示器。
6.ALD阀 Swagelok快速高温ALD专用阀。
主要技术参数&苍产蝉辫;
·载气流量控制：100-500 sccm
·基板加热温度：25～200℃
·本底真空： <3x10-1Torr，进口防腐泵
·载气系统： N2
·电源： 50-60Hz，220V/20A交流电源
应用范围&苍产蝉辫;
单一前驱体以及多种前驱体的原子层沉积镀膜。
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