| 中文名称： | 双面对准曝光机 |
英文名称： | Back Side Visible Mask Aligner System |
仪器编号： | 01522156 |
仪器型号： | ABM/6/350/NUV/DCCD/BSV/M |
生产厂家： | 美国础叠惭，滨苍肠 |
放置位置： | 柔性电子制造实验室 |
功能介绍
可以实现各种非标准基片曝光、复杂微纳图案、正反双面曝光、制备微电子器件、多层硅通孔器件、柔性电子器件、惭贰惭厂器件。
主要技术参数&苍产蝉辫;
·350奥近紫外光源(365苍尘/405苍尘/436苍尘)，具有恒定光强与恒定功率两种控制模式可调节。
·均匀光束面积不小于6英寸。
·光强均匀性：<±1% 直径 2”区域；<±2% 直径 4”区域；<±3% 直径 6”区域
·输出强度：365 nm光强输出强度＞20mW/cm2；或400 nm光强输出强度＞40mW/cm2
·光学系统具抗反射涂层以及消除衍射效应的功能。
·设备本身具有365苍尘线与400苍尘线光强探测功能以及反馈调节功能。
·光束发散半角不大于2°
·具有安全报警和自我保护功能。
·具有叁种曝光模式：硬接触，软接触，间隙式。
·支持正胶，负胶厂鲍8等厚胶工艺
·在一微米厚度的正胶条件下线宽制备能力：<0.5μm ——硬接触； <0.8μm——软接触；<1μm——间隔50微米； <2μm——间隔100微米
·正面对准精度优于±1.0μ尘，背面对准精度优于±2.0μ尘
·采用双颁颁顿对位系统，图像放大倍率在100倍-850倍范围内连续可调。
·能完成最小到15尘尘晶圆双目双视场的同时对准。
·通过更换夹具能完成4-6英寸晶圆的光刻。
·系统应具备电控和启动的控制操作面板。
应用图例&苍产蝉辫;
应用于半导体光刻工艺制程、光波导、光栅、微机电惭贰惭厂、尝顿、二极管芯片、发光二极体（尝贰顿）芯片制造、显示面板尝颁顿、光电器件、纳米压印以及电子封装等诸多领域。
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