| 中文名称： | 反应离子刻蚀机 |
英文名称： | Reactive Ion Etching |
仪器编号： | 01609154 |
仪器型号： | Etchlab 200 |
生产厂家： | 德国SENTECH instruments GmbH |
放置位置： | 柔性电子制造实验室 |
功能介绍
反应离子刻蚀是一种半导体生产加工工艺，它利用由等离子体强化后的反应离子气体轰击目标材料，来达到刻蚀的目的。气体在低压（真空）环境下由电磁场产生，等离子体中的高能离子轰击芯片表面并与之反应。反应离子刻蚀机属于干法刻蚀设备。
主要技术参数&苍产蝉辫;
·反应腔：298 mm直径, AlMgSi 0.5材料, 铰链连接顶盖
·下电极：铝制水冷电极,电极直径215毫米,4&辩耻辞迟;-8&辩耻辞迟;晶圆，可提供小片晶片托架
·上电极：硬铝镀层，带有淋浴头和中间光学终点探测窗口
·真空系统：防腐蚀旋转油泵,16 m3/h
·供气系统：2条气路，带有惭贵颁和切断阀
·RF电源：3.56 MHz射频发生器, 600 W, 气冷
·控制系统：远程控制器， Interbus, RFC基础联动装置
·软件：SENTECH控制软件, 包含图形界面，recipe控制操作，功能强大的recipe编辑器和数据资料记录
应用范围&苍产蝉辫;
广泛应用于半导体器件、电力电子器件、光电子、太阳能电池、微机械等领域，是微米纳米器件制备的必备设备。
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