| 中文名称: | 反应离子刻蚀机 |
英文名称: | Reactive Ion Etching |
仪器编号: | 01609154 |
仪器型号: | Etchlab 200 |
生产厂家: | 德国SENTECH instruments GmbH |
放置位置: | 柔性电子制造实验室 |
功能介绍
反应离子刻蚀是一种半导体生产加工工艺,它利用由等离子体强化后的反应离子气体轰击目标材料,来达到刻蚀的目的。气体在低压(真空)环境下由电磁场产生,等离子体中的高能离子轰击芯片表面并与之反应。反应离子刻蚀机属于干法刻蚀设备。
主要技术参数&苍产蝉辫;
·反应腔:298 mm直径, AlMgSi 0.5材料, 铰链连接顶盖
·下电极:铝制水冷电极,电极直径215毫米,4&辩耻辞迟;-8&辩耻辞迟;晶圆,可提供小片晶片托架
·上电极:硬铝镀层,带有淋浴头和中间光学终点探测窗口
·真空系统:防腐蚀旋转油泵,16 m3/h
·供气系统:2条气路,带有惭贵颁和切断阀
·RF电源:3.56 MHz射频发生器, 600 W, 气冷
·控制系统:远程控制器, Interbus, RFC基础联动装置
·软件:SENTECH控制软件, 包含图形界面,recipe控制操作,功能强大的recipe编辑器和数据资料记录
应用范围&苍产蝉辫;
广泛应用于半导体器件、电力电子器件、光电子、太阳能电池、微机械等领域,是微米纳米器件制备的必备设备。