| 中文名称： | 原子沉积系统笔颈肠辞蝉耻苍 |
英文名称： | Atomic Layer Deposition System(ALD) |
仪器编号： | 01222011 |
仪器型号： | SUNALETM R-200 Series |
生产厂家： | 芬兰笔颈肠辞蝉耻苍TM |
放置位置： | 柔性电子制造实验室 |
功能介绍
Picosun ALD设备功能强大且多元化，不仅具有沉积单一的薄膜、纳米叠层与梯度薄膜、掺杂质多组分薄膜、三元薄膜等功能，同时沉积的薄膜能够得到极度均匀性和高度重复性，具有在复杂基底上、苛刻环境中进行沉积的能力。用以研究不同功能材料在原子层次的厚度变化对其电学、光学和机械等性质变化的影响。
主要技术参数&苍产蝉辫;
·工艺温度：50 – 500 °C, 可选更高温度
·基片传送选件：气动升降（手动装载）
·预真空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
·独立的前驱体
·可兼顾液态、固态、气态、臭氧源多种不同的化学源
·4根独立源管线，最多加载6个前驱体源
·尺寸 (W x H x D)：189 cm x 206 cm x 111 cm ；重量：350 kg
·衬底尺寸和类型：50 – 200 mm /单片,最大可沉积直径150 mm基片，竖直放置，10-25片/批次（根据工艺）,156 mm x 156 mm 太阳能硅片。
·复杂表面衬底,粉末与颗粒,多孔，通孔，高深宽比（贬础搁）样品。
应用图例&苍产蝉辫;
PICOSUN™ SUNALE™ R-200能够沉积高质量薄膜，即使衬底结构十分复杂，如多孔材料、高深宽比的沟槽或者纳米颗粒, 沉积的薄膜均匀性也极其优异。Picosun功能强大、易更换的固、液、气态前驱体输运系统确保可以在硅平面基片，3D复杂基片及所有纳米尺度的特征器件上制备无颗粒的薄膜。
该设备研究应用成果
ALD方法合成新型汽车尾气多元催化剂纳米颗粒
ALD方法制备致密均匀的纳米薄膜
项目支撑情况：国家重大基础研究发展计划项目（2013CB934800）、国家自然科学基金项目（51101064）
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