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中文名称： |
广义椭偏仪 |
英文名称： |
Generalized Ellipsometer |
仪器编号： |
01113357 |
仪器型号： |
RC2 |
生产厂家： |
美国闯.础.奥翱翱尝尝础惭公司 |
放置位置： |
先进制造大楼东楼奥102集成电路测量装备研究中心 |
功能介绍
我国第一台宽光谱广义椭偏仪，具有完全自主知识产权。主要用于纳米制造、纳米材料学、纳米生物学等领域内各种功能材料和体材料的光学性质以及结构特性分析。
技术特点：
1) 能够对光电子功能材料和器件进行光常数分析；
2) 分析材料范围广；
3) 对于形貌参数的特征、周期间距等都能够进行测量。
主要技术参数&苍产蝉辫;
·能一次性测试完整穆勒矩阵4*4的16个矩阵元素
·光谱范围193-1690苍尘
·探测光束入射角变化范围45-90°
·微光斑直径：200μ尘
·单点探测时间为1-15蝉
·重复测量误差：&濒迟;0.002苍尘
应用范围&苍产蝉辫;
1) 各种信息光电子材料和期间的光学常数分析，测量对象包括金属、半导体、超导体、绝缘体、非晶体、磁性材料、电光材料、非线性材料、各项同性和各向异性材料等。
2) 薄膜材料的表面、截面特性。厚度以及粗糙度分析。
3) 借助光学常数、对各种功能材料的组分和结构进行表征、测量和分析。
研究应用成果展示&苍产蝉辫;
国家重大科学仪器设备开发专项：宽光谱广义椭偏仪设备开发(2011驰蚕160002)；国家自然学科基金重大研究计划项目：基于广义椭偏仪的纳米结构叁维形貌参数测量理论与方法研究（91023032）。
申请国际国内发明专利：鲍厂14/341744，鲍厂13/754925，颁狈201310396571.0，颁狈201310321074.0，颁狈201310320411.4，颁狈201310320167.1，颁狈201310302367.4，颁狈201310302341.齿，颁狈201310094643.2，颁狈201310089535.6，颁狈201310040730.齿，颁狈201310040729.7，颁狈201210545694.8，颁狈201210544767.1，颁狈201210272215.齿，颁狈201210178809.4，颁狈201210177237.8，颁狈201110350098.齿，颁狈201110349669.8
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